半導体産業用高硬度炭化ケイ素再結晶るつぼカプセルSisic

半導体産業用高硬度炭化ケイ素再結晶るつぼカプセルSisic

半導体産業用高硬度炭化ケイ素再結晶るつぼ、Sisicカプセル。 反応性焼結 Sisic カプセルは、高温耐性と優れた熱特性を特徴としています。
基礎情報
認証ISO、ISO9001
形状四角
シュヴァルツ
耐火性1380
タイプ炭化ケイ素るつぼ
納期25~30テイク
原材料トナー、シリコンパウダー
応用工業用セラミックス、耐火物、工業炉
サイズ顧客のニーズとして
使用強酸・強アルカリに強い
密度3.02g/cm3以上
熱伝導率45 (摂氏1200度)
モース硬度9.15
ヴィッカーシャルテ Hv20GPa
開気孔率0.1%未満
耐酸・耐アルカリ性素晴らしい
輸送パッケージ柔らかいフォームを使用した木製ケース
仕様注文数量に応じて
商標BD / 顧客の要求に応じて
起源濰坊市、中国
HSコード6903900000
生産能力5000個/月
製品説明

半導体産業用高硬度炭化ケイ素再結晶るつぼSisicカプセル

反応焼結 Sisic バッグは、高温耐性、良好な熱衝撃安定性、小さな膨張係数、耐食性、耐剥離性、良好な粉体耐性、および高温での良好なクリープを特徴としています。 また、熱伝導速度が高く、製品を均一に加熱し、エネルギー消費を効果的に削減し、燃焼速度を加速し、性能を向上させます。 電子部品、磁性材料、各種セラミック粉末の焼結に広く使用されています。

特徴:
良好な熱伝導性
温度変化に対する優れた耐性
良好な耐酸化性
優れた耐酸性
良好な耐熱性
良好な高温耐性

参考写真:

High hardness recrystallization silicon carbide crucibles Sisic saggers for semiconductor industry


High hardness recrystallization silicon carbide crucibles Sisic saggers for semiconductor industry

High hardness recrystallization silicon carbide crucibles Sisic saggers for semiconductor industry

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技術データ

記事

データ

塗布温度

1380℃

密度

≥3.02 g/cm3

開気孔率

<0,1 %

曲げ強度

250(20℃)MPa

280(1200℃)MPa

弾性率

330(20℃)Gpa

300 (1200 °C) Gpa

熱伝導率

45(1200℃)W/mk

熱膨張係数

4.5K-1×10-6

剛性

13

High hardness recrystallization silicon carbide crucibles Sisic saggers for semiconductor industry